Муллит

Свойства муллита, состав, применение

Муллит

Муллит отличается превосходной устойчивостью к теплу и тепловым ударам, а также замечательной устойчивостью к ползучести. Коэффициент его теплового расширения близок к такому же показателю у полупроводниковых чипов на основе кремния. Благодаря малому тепловому расширению и отличной тепловой стабильности, муллит сохраняет свою форму и прочность даже при высоких температурах, что делает его оптимальным решением для применения в высокотемпературных технологиях. Кроме того, муллит обладает хорошими электрическими изоляционными качествами и низкой теплопроводностью, что превращает его в идеальный материал для электротехнических целей.

Область применения муллита достаточно разнообразна: от высокотемпературных технологий и электрических изоляторов до огнеупорной промышленности.

Наиболее важные свойства муллита (3Al₂O₃, 2SiO₂):

  • Высокая прочность и твёрдость
  • Устойчивость к химическому воздействию
  • Минимальное тепловое расширение
  • Отличная тепловая стабильность
  • Хорошая электрическая изоляция
  • Низкая теплопроводность

Если вас заинтересовали продукты из муллита или нужна дополнительная информация, обращайтесь к нам. Наш опыт позволит подобрать оптимальный материал именно для вашей задачи.

Свойства муллита

Свойства Условия Единицы измерения Муллит
Плотность г/см³ 2,8
Размер кристаллов мкм 10
Водопоглощение % 0
Газопроницаемость - 0
Цвет - Коричневый
Прочность на изгиб (MOR) 20°C МПа (psi × 10³) 170 (25)
Модуль упругости 20°C ГПа (psi × 10⁶) 150 (22)
Коэффициент Пуассона 20°C - -
Прочность на сжатие 20°C МПа (psi × 10³) 550 (80)
Твёрдость ГПа (кг/мм²) 7,4 (750)
Прочность на растяжение 25°C МПа (psi × 10³) -
Вязкость разрушения K (Ic) МПа·м¹/² 2
Теплопроводность 20°C Вт/(м·К) 3,5
Коэффициент теплового расширения 25°C-1000°C 10⁻⁶/°C 5,3
Удельная теплоёмкость 100°C Дж/(кг·К) 950
Термостойкость △Tc °C 300
Максимальная рабочая температура °C 1700
Диэлектрическая прочность 6.35 мм кВ/мм (перем. ток) 9.8 (248)
Диэлектрическая проницаемость 1 МГц, 25°C - 6,0
Диэлектрические потери (tan δ) 1 МГц, 25°C - 0,0020
Удельное объёмное сопротивление 25°C Ом·см >10¹⁴
500°C Ом·см 4×10⁵
1000°C Ом·см -
Ударное воздействие - -
Истирание - -
Примечание: Все указанные значения получены на тестовых образцах и могут варьироваться в зависимости от конструкции компонента. Данные значения не являются гарантированными и предназначены только для ознакомления.

Напишите нам

108811, г Москва, Киевское шоссе 22-й км, д. 4, стр 2